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东芝推出采用19纳米第二代工艺技术的新型嵌入式NAND闪存模块消费电子万芳

发布时间:2020-02-14 10:58:14 阅读: 来源:烘干机厂家

东芝推出采用19纳米第二代工艺技术的新型嵌入式NAND闪存模块 - 消费电子 - 电子工程网

东芝公司推出新型嵌入式NAND闪存模块,该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。该模块符合最新的e MMC [1]标准,旨在应用于智能手机、平板电脑和数字摄像机等广泛的数字消费品。批量生产将从11月底开始。

能够支持高分辨率视频和提供更大存储空间的高密度NAND闪存芯片的需求不断增长。这在包含控制器功能的嵌入式存储器领域尤为明显,这种嵌入式存储器可以使开发要求降至最低,并使得整合进系统设计更加便利。东芝正通过增强其高密度存储器产品系列来满足这一需求。

该公司的新型32 GB嵌入式设备在11.5 x 13 x 1.0mm的小封装中整合了4个64Gbit(相当于8GB)NAND芯片(采用东芝的19纳米第二代尖端工艺技术制造)和一个专用控制器。它符合JEDEC于9月发布的JEDEC e MMC 5.0版标准,并且通过采用新的HS400高速接口标准实现了高读写性能。

东芝将在密度为4GB至128GB的单一封装嵌入式NAND闪存系列中使用这些NAND芯片。所有设备都将整合一个控制器来管理NAND应用的基本控制功能。

新产品系列 产品名称容量 封装 批量生产THGBMBG8D4KBAIR 32GB 153球FBGA 2013年11月底 11.5x13x1.0mm THGBMBG7D2KBAIL 16GB 153球FBGA 2013年11月底 11.5x13x0.8mm

在16GB和32GB产品之后,东芝将依次推出4GB、8GB、64GB和128GB产品。

主要功能

1. 符合JEDEC e MMC 5.0版标准的接口可以处理基本功能,包括写块管理、纠错和驱动软件。它可简化系统开发,让制造商能够使开发成本最小化,并加快新产品和升级产品的上市速度。

2. 嵌入系统后,128GB模块能够以128Kbps比特率记录长达2,222小时的音乐、16.6小时的全高清视频和38.4小时的标清视频[2]。

3. 新产品采用使用19纳米第二代尖端工艺技术制造的NAND闪存芯片。

4. 新产品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封装,并且拥有符合JEDEC e MMC 5.0版标准的信号布局。

主要规格 产品名称 THGBMBG8D4KBAIR THGBMBG7D2KBAIL 接口JEDEC e MMC 5.0版标准 HS-MMC接口容量32GB 16GB 电源电压 2.7~3.6V(存储器核)1.7V~1.95V / 2.7V~3.6V(接口) 总线宽度x1 /x4 / x8 写入速度 每秒90MB. 每秒50MB(循序/HS400模式) (循序/HS400模式) 读取速度 每秒270MB 每秒270MB (循序/HS400模式) (循序/HS400模式)温度范围-25至+85摄氏度封装153球FBGA 153球FBGA 11.5x13x1.0mm 11.5x13x0.8mm

[1] e MMC是采用JEDEC e MMC标准规格制造的嵌入式存储器产品的商标和产品类别。

[2] HD和SD分别按照17Mbps和7Mbps的平均比特率计算。

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